晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術中的重要器件之一，以下是對其的詳細介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產品，采用模塊化設計，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身是一種可控的單向導電開關，具有PNPN四層結構，包含陽極A、陰極K以及控制極G三個關鍵端子。其工作基于PN結的伏安特性，通過在控制極G施加一定電壓或電流信號，可以實現(xiàn)對整個器件導通與截止狀態(tài)的控制。晶閘管耐壓值，普通晶閘管udrm 為 100v---3000v 。相城區(qū)加工晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過。當控制極加上適當?shù)恼蛴|發(fā)電壓時，內部的三極管導通，使得中間的N型層上的電荷被移除，晶閘管迅速從阻斷狀態(tài)轉變到導通狀態(tài)。一旦晶閘管導通，即使撤去控制極的觸發(fā)電壓，晶閘管仍能保持導通狀態(tài)，因為此時陽極和陰極之間的電壓為正，足以維持晶閘管的導通。江蘇使用晶閘管模塊銷售廠家高電壓和大電流：晶閘管能夠承受高電壓和大電流，適合用于電力控制。

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發(fā)角超過90°以后，電流變?yōu)榉钦业模S之就產生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發(fā)，就只會產生奇次諧波。諧波可以通過對較高頻率分量的傅里葉分析得到。由于在電力系統(tǒng)應用中要求具有可控的容性無功功率，因此在TCR上并聯(lián)了一個電容器。這個電容器可以是固定的，也可以是可投切的，通過機械開關或者是晶閘管開關。TCR的主要優(yōu)點是控制的靈活性和易于擴容。

實際上，實際中的三相電抗器的參數(shù)不可能完全相同。三相供電電壓也不一定完全平衡。這種不平衡就會導致非特征諧波的產生，包括3倍數(shù)次諧波，擴散到線路中。正常情況下，非特征諧波的數(shù)值是非常小的。但在嚴重擾動的情況下，正負半波的觸發(fā)角可能不同，這就會導致直流分量的產生，并足以引起耦合變壓器的飽和，從而產生更大的諧波擴散。除了諧波，一個小的基頻電流分量(0．5%～2%)也在TCR中流動，這體現(xiàn)了TCR繞組中的電阻損耗。三相CTR正向電壓超過轉折電壓時，會產生誤導通，導通后的電流較大，使器件受損。

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過控制晶閘管的導通時間，它的有效電抗可以連續(xù)變化。基本的單相TCR由反并聯(lián)的一對晶閘管閥T1、T2與一個線性的空心電抗器相串聯(lián)組成。反并聯(lián)的一對晶閘管就像一個雙向開關，晶閘管閥T1在供電電壓的正半波導通，而晶閘管閥T2在供電電壓的負半波導通。晶閘管的觸發(fā)角以其兩端之間電壓的過零點時刻作為計算的起點，觸發(fā)信號的延遲角在90°~180°范圍內變化 [1]。原理晶閘管在現(xiàn)代電力電子技術中扮演著重要角色，尤其是在高功率應用中。相城區(qū)加工晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。相城區(qū)加工晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

在這r1個分段TCR中，只有一個分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導通，要么是全關斷，以吸收制定量的無功功率。由于每個分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產生的諧波相對于額定基波電流也減小了n倍。采用上述結構實現(xiàn)諧波減小的同時，也會伴隨成本的增加，因為這霈要更多數(shù)目的晶閘管。這樣，如果TCR的分段很多，那么分段TCR比不分段的TCR會貴很多。如同在直流輸電系統(tǒng)中一樣，當采用12脈波TCR時諧波可以大大減小。在這種結構中，2個6脈波TCR通過相位相差30°的2組三相電壓供電。12脈波TCR要么需要特制的3繞組變壓器，這種變壓器具有2個二次繞組；要么需要2個一次側聯(lián)結相同的電力變壓器。在這兩種情況下，變壓器的二次側一個是星形聯(lián)結，另一個是三角形聯(lián)結。相城區(qū)加工晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

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