Su等人28利用氫碘酸和抗壞血酸對PET基底上的多層氧化石墨烯薄膜進行化學(xué)還原，得到30nm厚的RGO薄膜，并測試了其滲透性能。實驗發(fā)現(xiàn)，對He原子和水分子完全不能透過。而厚度超過100 nm的RGO薄膜對幾乎所有氣體、液體和腐蝕性化學(xué)試劑（如HF）是高度不可滲透的。特殊的阻隔性能歸因于石墨烯層壓板的高度石墨化和在還原過程中幾乎沒有結(jié)構(gòu)損壞。與此結(jié)果相反，Liu等人29已經(jīng)證明了通過HI蒸氣和水輔助分層制備**式超薄rGO膜的簡便且可重復(fù)的方法，利用rGO膜的毛細管力和疏水性，通過水實現(xiàn)**終的分層。采用真空抽濾在微孔濾膜基底上制備厚度低至20nm的**式rGO薄膜。常州第六元素公司可以生產(chǎn)多個型號的氧化石墨。哪里有氧化石墨改性

TO具有光致親水特性，可保證高的水流速率，在沒有外部流體靜壓的情況下，與GO/TO情況相比，通過RGO/TO雜化膜的離子滲透率可降低至0.5%，而使用同位素標記技術(shù)測量的水滲透率可保持在原來的60%，如圖8.5（d-g）所示。RGO/TO雜化膜優(yōu)異的脫鹽性能，表明TO對GO的光致還原作用有助于離子的有效排斥，而在紫外光照射下光誘導(dǎo)TO的親水轉(zhuǎn)化是保留優(yōu)異的水滲透性的主要原因。這種復(fù)合薄膜制備方法簡單，在水凈化領(lǐng)域具有很好的潛在應(yīng)用。。官能化氧化石墨生產(chǎn)企業(yè)氧化石墨能夠應(yīng)用在交通運輸、建筑材料、能量存儲與轉(zhuǎn)化等領(lǐng)域。

氧化石墨烯（GO）與石墨烯的另一個區(qū)別是在吸收紫外/可見光后會發(fā)出熒光。通常可以在可見光波段觀測到兩個峰值，一個在藍光段（400-500nm），另一個在紅光段（600-700nm）。關(guān)于氧化石墨烯發(fā)射熒光的機理，學(xué)界仍有爭論。此外，氧化石墨烯的熒光發(fā)射會隨著還原的進行逐漸變化，在輕度化學(xué)還原過程中觀察到GO光致發(fā)光光譜發(fā)生紅移， 這一發(fā)現(xiàn)與其他人觀察到的發(fā)生藍移的現(xiàn)象相矛盾。這從另一個方面說明了氧化石墨烯結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性和性質(zhì)的多樣性。

氧化石墨烯（GO）的光學(xué)性質(zhì)與石墨烯有著很大差別。石墨烯是零帶隙半導(dǎo)體，在可見光范圍內(nèi)的光吸收系數(shù)近乎常數(shù)（～2.3%）；相比之下，氧化石墨烯的光吸收系數(shù)要小一個數(shù)量級（～0.3%）[9][10]。而且，氧化石墨烯的光吸收系數(shù)是波長的函數(shù)，其吸收曲線峰值在可見光與紫外光交界附近，隨著波長向近紅外一端移動，吸收系數(shù)逐漸下降。對紫外光的吸收（200-320nm）會表現(xiàn)出明顯的π-π*和 n-π*躍遷，而且其強度會隨著含氧基團的出現(xiàn)而增加[11]。氧化石墨烯（GO）的光響應(yīng)對其含氧基團的數(shù)量十分敏感[12]。隨著含氧基團的去除，氧化石墨烯（GO）在可見光波段的的光吸收率迅速上升，**終達到2.3%這一石墨烯吸收率的上限。氧化石墨烯可以有效去除溶液中的金屬離子。

還原氧化石墨烯（RGO）在邊緣處和面內(nèi)缺陷處具有豐富的分子結(jié)合位點，使其成為一種很有希望的電化學(xué)傳感器材料。結(jié)合原位還原技術(shù)，有很多研究使用諸如噴涂、旋涂等基于溶液的技術(shù)手段，利用氧化石墨烯（GO）在不同基底上制造出具備石墨烯相關(guān)性質(zhì)的器件，以期在一些場合替代CVD制備的石墨烯。結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)。氧化石墨烯（GO）的能級結(jié)構(gòu)由sp3雜化和sp2雜化的相對比例決定[6]，調(diào)節(jié)含氧基團相對含量可以實現(xiàn)氧化石墨烯（GO）從絕緣體到半導(dǎo)體再到半金屬性質(zhì)的轉(zhuǎn)換減少面內(nèi)難以修復(fù)的孔洞，從而提升還原石墨烯的本征導(dǎo)電性。哪里有氧化石墨改性

石墨烯微片的缺陷有時使其無法滿足某些復(fù)合材料在抗靜電或?qū)щ姟⒏魺峄驅(qū)岬确矫娴奶厥庖?。哪里有氧化石墨改?/p>

GO膜在水處理中的分離機理尚存在諸多爭議。一種觀點認為通過尺寸篩分以及帶電的目標分離物與納米孔之間的靜電排斥機理實現(xiàn)分離，如圖8.3所示。氧化石墨烯膜的分離通道主要由兩部分構(gòu)成：1）氧化石墨烯分離膜中不規(guī)則褶皺結(jié)構(gòu)形成的半圓柱孔道；2）氧化石墨烯分離膜片層之間的空隙。除此之外，由氧化石墨烯結(jié)構(gòu)缺陷引起的納米孔道對于水分子的傳輸提供了額外的通道19-22。Mi等23研究認為干態(tài)下通過真空過濾制備的氧化石墨烯片層間隙的距離約為0.3 nm。哪里有氧化石墨改性