GaN →Gallium Nitride是第三代新型半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、強度和高硬度等特性，在早期廣運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動通信，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣運用到消費類電子等領(lǐng)域，充電器便是其中一項。簡單的說，氮化鎵擁有更寬的帶隙，寬帶隙也意味著，氮化鎵能比硅承受更高的電壓，擁有更好的導(dǎo)電能力，相同體積下，采用氮化鎵技術(shù)的充電器比普通充電器輸出效率更高。打個比方說，采用氮化鎵材料做出來的充電頭，體積和蘋果5W充電器差不多大小的情況下，能實現(xiàn)更多的輸出功率。

氮化鎵是一種材料，它與協(xié)議無關(guān)，目前行業(yè)發(fā)展快充趨勢是PD充電器，所以大部分會應(yīng)用在PD充電器上。采用氮化鎵MOS管的充電器，開關(guān)頻率可以提升，產(chǎn)品體積比傳統(tǒng)的硅MOS管充電器可以減少30~60%（單口輸出）重量降低20~40%。