基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的限，適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，甘肅半導體微納加工外協，采用深紫外曝光光源可能實現0.1μm。但利用這種光刻技術實現宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內外比較多學者相繼提出了超衍射限光刻技術，甘肅半導體微納加工外協、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段，甘肅半導體微納加工外協。高精度的微細結構具有比較高的曝光精度，但這兩種方法制作效率低。甘肅半導體微納加工外協

平臺目前已配備各類微納加工和表征測試設備50余臺套，擁有一條相對完整的微納加工工藝線，可制成2-6英寸樣品，涵蓋了圖形發生、薄膜制備、材料刻蝕、表征測試等常見的工藝段，可以進行常見微納米結構和器件的加工，限線寬達到600納米，材料種類包括硅基、化合物半導體等多種類型材料，可以有力支撐多學科領域的半導體器件加工以及微納米結構的表征測試需求。微納加工平臺支持基礎信息器件與系統等多領域、交叉學科，開展前沿信息科學研究和技術開發。作為開放共享服務平臺，支撐的研究領域包括新型器件、柔性電子器件、微流體、發光芯片、化合物半導體、微機電器件與系統（MEMS）等。以高效、創新、穩定、合作共贏的合作理念，歡迎社會各界前來合作。中山刻蝕微納加工服務微納加工設備主要有：光刻、刻蝕、鍍膜、濕法、絕緣層鍍膜等。

研究應著眼于開發一種新型的可配置、可升級的微納制造平臺和系統，以降低大批量或是小規模定制產品的生產成本。新一代微納制造系統應滿足下述要求：（1）能生產多種多樣高度復雜的微納產品；（2）具有微納特性的組件的小型化連續生產；（3）為了掌握基于整個生產加工鏈制造的知識，新設計和仿真系統的產品開發過程的全部跨學科知識進行條理化和儲存；（4）為了生產的靈活性和適應性，應確保在分布式制造中各企業的有效合作，以支撐通過新型商業生產、管理和物流方法來實現的中小型企業在綜合制造網絡中的有效整合；（5）是一個擁有更高級的智能和可靠性、可根據相應環境自行調整設置及生產加工參數的、可嵌入整個生產制造行業的制造系統；（6）新型可快速配置和價格適中的微納制造系統，融入了面向任務和可重復配置的理念，能夠實現連續的系統升級和無縫重復配置。

真空鍍膜技術一般分為兩大類，即物理的氣相沉積技術和化學氣相沉積技術。物理的氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理的氣相沉積方法制得，它利用某種物理過程，如物質的熱蒸發，或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象，實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理的氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時，物理的氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下。化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。微納加工平臺包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法、干法、表面形貌測量。

硅材料在MEMS器件當中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當中，應用于醫美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕，縱向和橫向同時刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕，主要是在垂直方向刻蝕，而橫向盡量少刻蝕。微納加工平臺主要提供微納加工技術工藝，包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法、干法、表面形貌測量等。該平臺以積靈活的方式服務于實驗室的研究課題，并產生高水平的研究成果，促進半導體器件的發展，成為國內半導體器件技術與學術交流和人才培養的重要基地，同時為實驗室的學術交流、合作研究提供技術平臺和便利條件。微納加工平臺主要提供微納加工技術工藝。遼寧鍍膜微納加工平臺

微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS）。甘肅半導體微納加工外協

通過在聚合物表面構造微納米尺度結構及其陣列，可以得到聚合物微納結構制件，不同種類的微納結構賦予聚合物制件許多特殊的功能。如具有微槽流道的微流控生物芯片；具有微納透鏡陣列的光學元件，如導光板、偏光板等；具有仿生微結構的疏水薄膜以及具有高深寬比V槽結構的微結構換熱器等。上述微結構制件在生物醫學分析、藥物開發、無痛給藥、微反應過程、LCD顯示器關鍵光學材料、高效換熱等場合發揮了重要的作用。隨著聚合物成型方法的不斷成熟與發展，聚合物微結構器件的種類和應用范圍也隨之豐富與擴大。甘肅半導體微納加工外協