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廣西真空電鍍設(shè)備 深圳志成達供應(yīng)

發(fā)貨地點:廣東省深圳市

發(fā)布時間:2025-04-23

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詳細信息

如何選擇適合的電鍍周邊設(shè)備?

需結(jié)合工藝需求、生產(chǎn)規(guī)模、預(yù)算及環(huán)保要求,以下建議:

一、明確需求

1.工藝類型根據(jù)鍍層種類選擇設(shè)備,例如鍍鉻需耐高溫鍍槽,鍍金需高精度整流器。前處理/后處理流程決定是否需要超聲波清洗機、甩干機等配。

2.生產(chǎn)規(guī)模中小批量:優(yōu)先選擇模塊化設(shè)備(如可擴展的鍍槽、單機過濾機),降低初期投入。大規(guī)模量產(chǎn):考慮自動化生產(chǎn)線(如機器人上下料、PLC集中控制系統(tǒng)),提升效率。

3.鍍層質(zhì)量要求高精度產(chǎn)品(如電子元件):需配備在線檢測設(shè)備(如X射線測厚儀)、恒溫恒濕控制系統(tǒng)。普通五金件:可選基礎(chǔ)檢測設(shè)備(如磁性測厚儀)。

二、關(guān)鍵設(shè)備選型要點

1.鍍槽材質(zhì):酸性選聚丙烯(PP),高溫強堿選聚四氟乙烯(PTFE)。尺寸:根據(jù)工件大小和產(chǎn)能計算槽體容積,預(yù)留10%-20%余量避免溢出。

2.整流器優(yōu)先選擇高頻開關(guān)電源(節(jié)能30%以上),輸出電流需覆蓋最大負載的120%。復(fù)雜工藝(如脈沖電鍍)需配置可編程整流器。

3.過濾系統(tǒng)精密電鍍(如PCB):采用多級過濾(濾芯+超濾膜),精度≤1μm。常規(guī)電鍍:選用袋式過濾機,精度5-25μm即可。

4.環(huán)保設(shè)備廢氣處理:酸霧量大時選噴淋塔+活性炭吸附廢水處理:重金屬廢水需配備離子交換或反滲透(RO)系統(tǒng) 電鍍槽體的防腐內(nèi)襯采用聚四氟乙烯(PTFE),耐受強酸堿與高溫,延長設(shè)備使用壽命 30% 以上。廣西真空電鍍設(shè)備

廣西真空電鍍設(shè)備,電鍍設(shè)備

陽極氧化線的主要組成部分

1. 前處理系統(tǒng)

目的:表面油污、氧化皮和雜質(zhì),確保氧化膜與基體結(jié)合牢固。

工序:

除油-堿蝕 / 酸洗-多級水洗

2. 陽極氧化處理系統(tǒng)

氧化槽:

材質(zhì):耐酸堿的 PP、PVC 或玻璃鋼,內(nèi)置陰極板(鉛板、不銹鋼)和導(dǎo)電裝置。

控制裝置:

電源--溫控系統(tǒng)--攪拌系統(tǒng)

電解液類型:

硫酸:常用,成本低,膜透明度高,適合裝飾性氧化(如鋁型材染色)。

草酸:膜硬度高、耐磨性強,用于硬質(zhì)氧化(如航空零件)。

鉻酸:膜層柔軟、孔隙少,適合復(fù)雜工件或疲勞敏感零件(如汽車部件)。

3.后處理系統(tǒng)(功能拓展)

染色(可選):利用氧化膜的多孔性吸附有機染料或金屬鹽,實現(xiàn)顏色定制。

封孔(關(guān)鍵工序):

熱水封孔:使氧化膜水合生成 AlOnHO,堵塞孔隙,提升耐腐蝕性。

蒸汽封孔:高溫蒸汽加速水合,適合厚膜(如硬質(zhì)氧化)。

化學(xué)封孔:鎳鹽 / 鈷鹽溶液,形成氫氧化物沉淀封孔

干燥:熱風(fēng)循環(huán)或烘箱去除水分,防止封孔后白斑。

4.自動化控制系統(tǒng)

輸送設(shè)備:懸掛式鏈條、龍門行車或機械手,實現(xiàn)工件在各槽間的自動傳輸。

參數(shù)監(jiān)控:PLC 或工業(yè)電腦實時監(jiān)測電壓、電流、電解液濃度、溫度、pH 值,自動補加藥劑或調(diào)整工藝參數(shù)。 電子元器件電鍍設(shè)備生產(chǎn)過程掛具設(shè)計作為電鍍設(shè)備附件,采用導(dǎo)電性能優(yōu)異的銅合金或不銹鋼,減少接觸電阻以保障電流均勻傳導(dǎo)。

廣西真空電鍍設(shè)備,電鍍設(shè)備

陽極氧化線的特點

1.膜層與基體一體化:氧化膜為金屬自身氧化物,結(jié)合力遠超電鍍或噴涂的外來涂層,不易脫落。

2.功能可定制化:

防腐:致密膜層隔絕腐蝕介質(zhì),鋁陽極氧化膜耐鹽霧可達 500 小時以上。

耐磨:硬質(zhì)陽極氧化膜(厚度 50~200μm)硬度接近陶瓷,適用于活塞、齒輪等機械部件。

裝飾:通過染色或電解著色實現(xiàn)多樣化外觀(如手機殼、建筑鋁型材)。

絕緣 / 散熱:高電阻率膜層用于電器絕緣,多孔結(jié)構(gòu)可提升散熱效率(如 LED 燈具)。

3.環(huán)保特性:傳統(tǒng)鉻酸工藝含重金屬,需配套廢水處理;現(xiàn)代主流為硫酸陽極氧化 + 無鉻封孔,環(huán)保性提升。4.材料適應(yīng)性:主要針對鋁、鎂、鈦等輕金屬,鋼鐵等材料因氧化膜疏松少用。

精密電子元件叁筒滾鍍線

一、設(shè)備概述:

適用于電鍍鋅、鍍鎳、鍍錫、鍍鉻、鍍銅、鍍鎘等有色金屬;鍍金、鍍銀等貴重金屬的精密電鍍。

降低孔隙率,晶核的形成速度大于成長速度,促使晶核細化。

改善結(jié)合力,使鈍化膜擊穿,有利于基體與鍍層之間牢固的結(jié)合。

改善覆蓋能力和分散能力,高的陰極負電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積,掛鍍生產(chǎn)線設(shè)備,減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過度消耗而帶來的“燒焦”“樹枝狀”沉積的缺陷,對于獲得一個給定特性鍍層的厚度可減少到原來1/3~1/2,節(jié)省原材料。

降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力,改善晶格缺陷、雜質(zhì)、空洞、瘤子等,容易得到無裂紋的鍍層,減少添加劑。

有利于獲得成份穩(wěn)定的合金鍍層。

改善陽極的溶解,不需陽極活化劑。

改進鍍層的機械物理性能,如提高密度,降低表面電阻和體電阻,提高韌性、耐磨性、抗蝕性,而且可以控制鍍層硬度。 環(huán)保型電鍍設(shè)備的廢氣收集系統(tǒng)采用蜂窩狀活性炭吸附塔,深度處理酸霧廢氣,確保排放達標。

傳統(tǒng)的電鍍抑制副作用的產(chǎn)生、改善電流分布、調(diào)節(jié)液相傳質(zhì)過程、控制結(jié)晶取向顯得毫無作用,面對絡(luò)合劑和添加劑的研究,成了電鍍工藝研究的主要方向。納米開關(guān)電源解決了傳統(tǒng)整流器存在的缺陷。提高產(chǎn)品成品率、產(chǎn)品質(zhì)量。這些產(chǎn)品可適用于電鍍、電子、化工、氧化著色等行業(yè)。

廣西真空電鍍設(shè)備,電鍍設(shè)備

半導(dǎo)體滾鍍設(shè)備

是一種于半導(dǎo)體制造中金屬化工藝的精密設(shè)備,主要用于在半導(dǎo)體晶圓、芯片或微型元件表面沉積均勻的金屬鍍層。其在于通過可控的電化學(xué)或化學(xué)鍍工藝,實現(xiàn)高精度、高一致性的金屬覆蓋,滿足集成電路封裝、先進封裝及微機電系統(tǒng)等領(lǐng)域的特定需求

與傳統(tǒng)滾鍍不同,半導(dǎo)體滾鍍更注重工藝潔凈度、鍍層精度及與半導(dǎo)體材料的兼容性。

二、功能

1.金屬互連:在晶圓上形成銅導(dǎo)線。

2.凸塊制備:沉積錫、銅、金等材料,用于芯片與基板的電氣連接。

3.阻擋層/種子層鍍覆:鍍鈦、鉭等材料,防止金屬擴散并增強附著力。

三、設(shè)備組成

1.電鍍槽:

材質(zhì):耐腐蝕材料,避免污染鍍液

鍍液循環(huán)系統(tǒng):維持鍍液成分均勻,過濾顆粒雜質(zhì)

2.旋轉(zhuǎn)載具:

晶圓固定裝置:真空吸附或機械夾持,確保晶圓平穩(wěn)旋轉(zhuǎn)

轉(zhuǎn)速控制:通過伺服電機調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速,優(yōu)化鍍層均勻性

3.陽極系統(tǒng):

可溶性/不溶性陽極:銅、鉑等材料,依鍍層需求選擇

陽極位置調(diào)節(jié):控制電場分布,減少邊緣效應(yīng)

4.供液與噴淋系統(tǒng):

多點噴淋頭:均勻分配鍍液至晶圓表面,避免氣泡滯留

流量控制:精確調(diào)節(jié)鍍液流速,匹配不同工藝需求

5.控制系統(tǒng):

PLC/工控機:集成溫度、pH值、電流密度等參數(shù)監(jiān)測與反饋。

配方管理:存儲不同鍍層的工藝參數(shù) 電鍍設(shè)備中的掛鍍裝置,通過掛具懸掛工件,適用于汽車零件等中大件,可實現(xiàn)鍍層均勻附著。廣西脈沖電鍍設(shè)備

滾鍍設(shè)備采用帶孔滾筒裝載小工件,旋轉(zhuǎn)翻滾中完成電鍍,高效處理螺絲、電子元件等批量小件。廣西真空電鍍設(shè)備

半導(dǎo)體掛鍍設(shè)備

1.基本原理與結(jié)構(gòu)

掛鍍工藝:晶圓固定在掛具上,浸入電鍍液,通過精細控制電流、電壓及溶液成分,在表面沉積均勻金屬層。

組件:

電鍍槽:耐腐蝕材質(zhì),配備溫控、循環(huán)過濾系統(tǒng),維持鍍液均勻性

掛具與陽極:鈦或鉑金陽極,掛具設(shè)計適配晶圓尺寸,確保電場分布均勻

自動化傳輸:機械臂自動上下料,減少人工污染風(fēng)險

控制系統(tǒng):PLC/計算機實時調(diào)控電流密度、電鍍時間、pH值等參數(shù)

2. 關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)勢

高均勻性:通過脈沖電鍍或水平電鍍技術(shù)(如ECP),減少邊緣效應(yīng),實現(xiàn)亞微米級鍍層均勻性

低缺陷率:鍍液雜質(zhì)控制(<0.1ppm)與膜厚在線監(jiān)測,降低孔洞、結(jié)節(jié)等缺陷

高產(chǎn)能:支持多晶圓并行處理

3. 典型應(yīng)用場景

芯片制造:

銅互連:在邏輯芯片中沉積多層銅導(dǎo)線,替代傳統(tǒng)鋁工藝以降低電阻

TSV填充:為3D封裝提供垂直導(dǎo)電通道,實現(xiàn)芯片堆疊

先進封裝:

凸塊電鍍:在晶圓表面形成錫、銅柱凸塊,用于Flip-Chip鍵合

RDL(重布線層):沉積銅層實現(xiàn)芯片I/O端口的重新布局

總結(jié)

半導(dǎo)體掛鍍設(shè)備通過精密電化學(xué)控制與自動化技術(shù),解決了納米級金屬沉積的均勻性與可靠性難題,是先進芯片制造與封裝的裝備。其性能直接關(guān)聯(lián)芯片的導(dǎo)電性、散熱及良率 廣西真空電鍍設(shè)備

 

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