F30 系列監控薄膜沉積，**強有力的工具F30 光譜反射率系統能實時測量沉積率、沉積層厚度、光學常數 (n 和 k 值) 和半導體以及電介質層的均勻性。

樣品層分子束外延和金屬有機化學氣相沉積: 可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。 這實際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導體材料。

各項優點:極大地提高生產力低成本 —幾個月就能收回成本A精確 — 測量精度高于 ±1%快速 — 幾秒鐘完成測量非侵入式 — 完全在沉積室以外進行測試易于使用 — 直觀的 Windows? 軟件幾分鐘就能準備好的系統

型號厚度范圍*波長范圍

F30:15nm-70μm 380-1050nm

F30-EXR:15nm - 250μm 380-1700nm

F30-NIR:100nm - 250μm 950-1700nm

F30-UV:3nm-40μm 190-1100nm

F30-UVX:3nm - 250μm 190-1700nm

F30-XT:0.2μm - 450μm1440-1690nm 厚度變化 (TTV) ；溝槽深度；過孔尺寸、深度、側壁角度。薄膜測厚儀膜厚儀原理

FSM 413 紅外干涉測量設備

關鍵詞：厚度測量，光學測厚，非接觸式厚度測量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光測厚，近紅外光測厚，TSV, CD, Trench，砷化鎵厚度，磷化銦厚度，玻璃厚度測量，石英厚度，聚合物厚度, 背磨厚度，上下兩個測試頭。Michaelson干涉法，翹曲變形。    

如果您對該產品感興趣的話，可以給我留言！

產品名稱：紅外干涉厚度測量設備

·       產品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP，FSM413C2C, FSM 8108 VITE C2C

如果您需要更多的信息，請聯系我們岱美儀器。 Filmetrics F32膜厚儀技術支持F50-UV測厚范圍：5nm-40μm；波長：190-1100nm。

電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數十個行業, 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。 

測量范例氮化硅薄膜作為電介質，鈍化層，或掩膜材料被廣泛應用于半導體產業。這個案例中，我們用F20-UVX成功地測量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系數。有趣的事，氮化硅薄膜的光學性質與薄膜的分子當量緊密相關。使用Filmetrics專有的氮化硅擴散模型，F20-UVX可以很容易地測量氮化硅薄膜的厚度和光學性質，不管他們是富硅，貧硅，還是分子當量。

F3-CS：

Filmetrics的F3-CS 專門為了微小視野及微小樣品測量設計, 任何人從**操作到研&發人員都可以此簡易USB供電系統在數秒鐘內測量如聚對二甲苯和真空鍍膜層厚度.

我們具專利的自動校正功能大幅縮短測量設置並可自動調節儀器的靈敏度, 使用免手持測量模式時, 只需簡單地將樣品面朝下放置在平臺上測量樣品 , 此時該系統已具備可測量數百種膜層所必要的一切設置不管膜層是否在透明或不透明基底上.

快速厚度測量可選配FILMeasure厚度測量軟件使厚度測量就像在平臺上放置你的樣品一樣容易, 軟件內建所有常見的電介質和半導體層（包括C，N和HT型聚對二甲苯）的光學常數(n和k）,厚度結果會及時的以直覺的測量結果顯示對于進階使用者，可以進一步以F3-CS測量折射率, F3-CS可在任何運行Windows XP到 Windows8 64位作業系統的計算機上運行, USB電纜則提供電源和通信功能. 紫外光可測試的深度：***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應力。

F60 系列生產環境的自動測繪Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產品一樣測繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產環境的功能。 這些功能包括凹槽自動檢測、自動基準確定、全封閉測量平臺、預裝軟件的工業計算機，以及升級到全自動化晶圓傳輸的機型。

不同的 F60-t 儀器根據波長范圍加以區分。 較短的波長 (例如， F60-t-UV) 一般用于測量較薄的薄膜，而較長的波長則可以用來測量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 

包含的內容：集成平臺/光譜儀/光源裝置（不含平臺）4", 6" and 200mm 參考晶圓TS-SiO2-4-7200 厚度標準真空泵備用燈 F30樣品層:分子束外延和金屬有機化學氣相沉積: 可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。河北膜厚儀

一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統。 測量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。薄膜測厚儀膜厚儀原理

銦錫氧化物與透明導電氧化物液晶顯示器，有機發光二極管變異體，以及絕大多數平面顯示器技術都依靠透明導電氧化物 (TCO) 來傳輸電流，并作每個發光元素的陽極。 和任何薄膜工藝一樣，了解組成顯示器各層物質的厚度至關重要。 對于液晶顯示器而言，就需要有測量聚酰亞胺和液晶層厚度的方法，對有機發光二極管而言，則需要測量發光、電注入和封裝層的厚度。

在測量任何多個層次的時候，諸如光譜反射率和橢偏儀之類的光學技術需要測量或建模估算每一個層次的厚度和光學常數 (反射率和 k 值)。

不幸的是，使得氧化銦錫和其他透明導電氧化物在顯示器有用的特性，同樣使這些薄膜層難以測量和建模，從而使測量在它們之上的任何物質變得困難。Filmetrics 的氧化銦錫解決方案Filmetrics 已經開發出簡便易行而經濟有效的方法，利用光譜反射率精確測量氧化銦錫。 將新型的氧化銦錫模式和 F20-EXR, 很寬的 400-1700nm 波長相結合，從而實現氧化銦錫可靠的“一鍵”分析。 氧化銦錫層的特性一旦得到確定，剩余顯示層分析的關鍵就解決了。