③縮短圖像傳遞鏈，減少工藝上造成的缺陷和誤差，可獲得很高的成品率。④采用精密自動調焦技術，避免高溫工藝引起的晶片變形對成像質量的影響。⑤采用原版自動選擇機構（版庫），不但有利于成品率的提高，而且成為能靈活生產多電路組合的常規曝光系統。浸入式光刻技術原理這種系統屬于精密復雜的光、機、電綜合系統。它在光學系統上分為兩類。一類是全折射式成像系統，多采用1/5～1/10的縮小倍率,技術較成熟；一類是1:1倍的折射-反射系統，光路簡單，對使用條件要求較低。但是同時引入了衍射效應，降低了分辨率。1970后適用，但是其最大分辨率為2～4μm。吳中區耐用光刻系統選擇

1.氣相成底模2.旋轉烘膠3.軟烘4.對準和曝光5.曝光后烘焙（PEB）6.顯影7.堅膜烘焙8.顯影檢查光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術，主要包括：特征尺寸為0．1μm的248 nm KrF準分子激光技術；特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術；特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術（Immersion，193i）。其中193 nm浸沒式光刻技術是所有光刻技術中**為長壽且**富有競爭力的，也是如何進一步發揮其潛力的研究熱點。傳統光刻技術光刻膠與曝光鏡頭之間的介質是空氣，而浸沒 式技術則是將空氣 換成液體介質?；⑶饏^供應光刻系統推薦貨源光刻系統按光源類型分為紫外（UV）、深紫外（DUV）、極紫外（EUV）、電子束及無掩模激光直寫等類別。

主要流程光復印工藝的主要流程如圖2：曝光方式常用的曝光方式分類如下：接觸式曝光和非接觸式曝光的區別，在于曝光時掩模與晶片間相對關系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復印面積大、復印精度好、曝光設備簡單、操作方便和生產效率高等特點。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準精度的提高也受到較多的限制。一般認為，接觸式曝光只適于分立元件和中、小規模集成電路的生產。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統中，掩膜圖形經光學系統成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高，對準精度也高，能滿足高集成度器件和電路生產的要求。但投影曝光設備復雜，技術難度高，因而不適于低檔產品的生產?，F代應用**廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統和x:1倍的在硅片上直接分步重復曝光系統。 [2]

準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術，主要包括：特征尺寸為0．1μm的248 nm KrF準分子激光技術；特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術；特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術（Immersion，193i）。其中193 nm浸沒式光刻技術是所有光刻技術中**為長壽且**富有競爭力的，也是目前如何進一步發揮其潛力的研究熱點。傳統光刻技術光刻膠與曝光鏡頭之間的介質是空氣，而浸沒 式技術則是將空氣 換成液體介質。實際上，由于液體介質的折射率相比空氣介質更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率，等效地加大了透鏡口徑尺寸與數值孔徑（NA），同時可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工藝的寬容度（EL），浸沒式光 刻 技 術 正 是 利 用 這 個 原 理 來 提 高 其 分 辨率。目的：a、除去表面的污染物（顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子）；

光致抗蝕劑，簡稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發生降解反應而能為顯影液所溶解。留下的非曝光部分的圖形與掩模版一致。正性抗蝕劑具有分辨率高、對駐波效應不敏感、曝光容限大、***密度低和無毒性等優點，適合于高集成度器件的生產。②負性光致抗蝕劑：受光照部分產生交鏈反應而成為不溶物，非曝光部分被顯影液溶解，獲得的圖形與掩模版圖形互補。負性抗蝕劑的附著力強、靈敏度高、顯影條件要求不嚴，適于低集成度的器件的生產。缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。常州省電光刻系統五星服務

科研領域使用德國SUSS紫外光刻機（占比45%），國產設備在激光直寫設備中表現較好 [8]。吳中區耐用光刻系統選擇

實際上，由于液體介質的折射率相比空氣介質更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率，等效地加大了透鏡口徑尺寸與數值孔徑（NA），同時可以 ***提高焦深（DOF）和曝光工藝的寬容度（EL），浸沒式光 刻 技 術 正 是 利 用 這 個 原 理 來 提 高 其 分 辨率。世界三 大光刻機 生產商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm干式光刻機的基礎上改進研制而成，**降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不大，193nm ArF準分子激光光刻技術在65nm以下節點半導體量產中已經廣泛應用；ArF浸沒式光刻 技 術 在45nm節 點 上 是 大 生 產 的 主 流 技 術。吳中區耐用光刻系統選擇

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