光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~250C,1~2分鐘,氮氣保護)目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子);b、除去水蒸氣,使基底表面由親水性變?yōu)樵魉裕鰪姳砻娴酿じ叫裕▽饪棠z或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。電子束光刻系統(tǒng)(如EBL 100KV)采用高穩(wěn)定性電子槍和精密偏轉控制,定位分辨率達0.0012nm [2]。姑蘇區(qū)常見光刻系統(tǒng)工廠直銷

邊緣光刻膠的去除光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。方法:a、化學的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,并小心控制不要到達光刻膠有效區(qū)域;b、光學方法(Optical EBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解姑蘇區(qū)常見光刻系統(tǒng)工廠直銷目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子);

后烘方法:熱板,110~130C,1分鐘。目的:a、減少駐波效應;b、激發(fā)化學增強光刻膠的PAG產(chǎn)生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。顯影方法:a、整盒硅片浸沒式顯影(Batch Development)。缺點:顯影液消耗很大;顯影的均勻性差;b、連續(xù)噴霧顯影(Continuous Spray Development)/自動旋轉顯影(Auto-rotation Development)。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面,同時硅片低速旋轉(100~500rpm)。噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現(xiàn)硅片間溶解率和均勻性的可重復性的關鍵調節(jié)參數(shù)。
所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展,這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時,半導體基片上如果有絕緣的介質膜,電子通過它時也會產(chǎn)生一定量的電荷積累,這些積累的電荷同樣會排斥后續(xù)曝光的電子,產(chǎn)生偏移,而不導電的絕緣體(如玻璃片)肯定不能采用電子束曝光。還有空間交變磁場、實驗室溫度變化等都會引起電子束曝光產(chǎn)生“漂移”現(xiàn)象。因此,即使擁有2nm電子束斑的曝 光 系統(tǒng),要曝光出50nm以下的圖形結構也不容易。麻省理工學院(MIT)已經(jīng)采用的電子束光刻技術分辨率將推進到9nm。電子束直寫光刻可以不需要卡盤顆??仄–huck Particle MC):測試光刻機上的卡盤平坦度的芯片,其平坦度要求非常高;

早在80年代,極紫外光刻技術就已經(jīng)開始理論的研究和初步的實 驗,該技術 的光源是波 長 為11~14 nm的極端遠紫外光,其原理主要是利用曝光光源極短的波長達到提高光刻技術分辨率的目的。由于所有的光學材料對該波長的光有強烈的吸收,所以只能采取反射式的光路。EUV系統(tǒng)主要由四部分組成,即反射式投影曝光系統(tǒng)、反射式光刻掩模版、極紫外光源系統(tǒng)和能用于極紫外的光刻涂層。其主要成像原理是光波波長為10~14nm的極端遠紫外光波經(jīng)過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上,通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統(tǒng),將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中,形成集成電路制造所需要的光刻圖形。接觸式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接與光刻膠層接觸。蘇州購買光刻系統(tǒng)推薦貨源
對準方法:a、預對準,通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準;姑蘇區(qū)常見光刻系統(tǒng)工廠直銷
2019年荷蘭阿斯麥公司推出新一代極紫外光刻系統(tǒng),**了當今**的第五代光刻系統(tǒng),可望將摩爾定律物理極限推向新的高度 [5]。中國工程院《Engineering》期刊于2021年組建跨學科評選委員會,通過全球**提名、公眾問卷等多階段評審,選定近五年內完成且具有全球影響力的**工程成就。極紫外光刻系統(tǒng)憑借三大**指標入選:原創(chuàng)性突破:開發(fā)新型等離子體光源與反射式光學系統(tǒng)系統(tǒng)創(chuàng)新:整合超精密機械、真空環(huán)境控制與實時檢測技術產(chǎn)業(yè)效益:支撐全球90%以上**芯片制造需求 [1] [3-4] [7]。姑蘇區(qū)常見光刻系統(tǒng)工廠直銷
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