EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高的光刻分辨率。換個角度講，使用193i與EUV光刻機曝同一個圖形，EUV的工藝的k1因子要比193i大。k1越大對應的光刻工藝就越容易；k1的極限是0.25，小于0.25的光刻工藝是不可能的。從32nm半周期節點開始（對應20nm邏輯節點），即使使用1.35NA的193nm浸沒式光刻機，k1因子也小于0.25。一次曝光無法分辨32nm半周期的圖形，必須使用雙重光刻技術。使用0.32NA的EUV光刻，即使是11nm半周期的圖形，k1仍然可以大于0.25。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。吳江區本地光刻系統工廠直銷

極紫外光刻系統是采用13.5納米波長極紫外光源的半導體制造**設備，可將芯片制程推進至7納米、5納米及更先進節點。該系統由荷蘭阿斯麥公司于2019年推出第五代產品，突破光學衍射極限，將摩爾定律物理極限推向新高度。2021年12月14日，中國工程院***發布的"2021全球**工程成就"將其列為近五年全球工程科技重大成果，評選標準包括**技術突破、系統集成創新及產業帶動效益三項維度 [1-7]。采用13.5納米波長的極紫外光源，突破傳統深紫外光刻193納米波長限制，通過多層鍍膜反射式光學系統實現更高精度曝光。該技術使芯片制程工藝節點從10納米推進至7納米、5納米及3納米水平，相較前代技術晶體管密度提升3倍以上 [5] [7]。虎丘區本地光刻系統規格尺寸關鍵尺寸控片（Critical Dimension MC）：用于光刻區關鍵尺寸穩定性的監控；

光刻系統SUSS是一種應用于半導體制造領域的工藝試驗儀器，其比較大基片尺寸為6英寸，可實現0.5μm的分辨率和1μm的**小線寬 [1]。該系統通過精密光學曝光技術完成微電子器件的圖形轉移，為集成電路研發和生產提供關鍵工藝支持。比較大基片處理能力：支持直徑6英寸的基片加工（截至2021年1月） [1]圖形分辨率：系統的光學成像系統可實現0.5μm的分辨率 [1]線寬控制：在標準工藝條件下能夠穩定實現1μm的**小線寬加工 [1]該系統采用接觸式/接近式曝光原理，通過紫外光源實現掩模圖形向基片光刻膠的精確轉移。其精密對準機構可保證多次曝光時的套刻精度，適用于半導體器件研發階段的工藝驗證和小批量試制。

其主要成像原理是光波波長為10～14nm的極端遠紫外光波經過周期性多層膜反射鏡投射到反射式掩模版上，通過反射式掩模版反射出的極紫外光波再通過由多面反射鏡組成的縮小投影系統，將反射式掩模版上的集成電路幾何圖形投影成像到硅片表面的光刻膠中，形成集成電路制造所需要的光刻圖形。目 前EUV技 術 采 用 的 曝 光 波 長 為13．5nm，由于其具有如此短的波長，所有光刻中不需要再使用光學鄰近效應校正（OPC）技術，因而它可以把光刻技術擴展到32nm以下技術節點。2009年9月Intel*** 次 向 世 人 展 示 了22 nm工藝晶圓，稱繼續使用193nm浸沒式光刻技術，并規 劃 與EUV及EBL曝 光 技 術 相 配 合，使193nm浸沒式光刻技術延伸到15和11nm工藝節點。 [3]無掩模激光直寫系統利用激光直接在基材上成像，適用于柔性電子器件制造等領域 [5]。

得指出的是，EUV光刻技術的研發始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節點（對應邏輯器件130nm節點）就能用上EUV光刻機 [1]。可是，這一技術一直達不到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求。一拖再拖，直到2016年，EUV光刻機仍然沒能投入量產。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機，依靠雙重光刻的辦法來實現32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產。不斷延誤，對EUV技術來說，有利也有弊。一方面，它可以獲得更多的時間來解決技術問題，提高性能參數；另一方面，下一個技術節點會對EUV提出更高的要求。下一代技術如納米壓印和定向自組裝正在研發中 [6]。南通省電光刻系統按需定制

缺點：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損，壽命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。吳江區本地光刻系統工廠直銷

為把193i技術進一步推進到32和22nm的技術節點上，光刻**一直在尋找新的技術，在沒有更好的新光刻技術出現前，兩次曝光技術（或者叫兩次成型技術，DPT）成為人們關 注 的 熱 點。ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點相當有競爭力的技術；在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中，浸沒式 光刻技術也 具 有相當大 的優勢。01:23新哥聊芯片:13.光刻機的數值孔徑浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要有：如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以 及 有 效 數 值 孔 徑NA值 的 拓 展 等 問題。針 對 這 些 難 題 挑 戰，國 內 外 學 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 經 做 了 相 關 研 究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展，以滿足更小光刻線寬的要求。吳江區本地光刻系統工廠直銷

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