極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻(英語:Extreme ultra-violet,也稱EUV或EUVL)是一種使用極紫外(EUV)波長的下一代光刻技術,其波長為13.5納米,預計將于2020年得到廣泛應用。幾乎所有的光學材料對13.5nm波長的極紫外光都有很強的吸收,因此,EUV光刻機的光學系統只有使用反光鏡 [1]。極紫外光刻的實際應用比原先估計的將近晚了10多年。 [2]表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。南通銷售光刻系統按需定制

準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術,主要包括:特征尺寸為0.1μm的248 nm KrF準分子激光技術;特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術;特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術(Immersion,193i)。其中193 nm浸沒式光刻技術是所有光刻技術中**為長壽且**富有競爭力的,也是目前如何進一步發揮其潛力的研究熱點。傳統光刻技術光刻膠與曝光鏡頭之間的介質是空氣,而浸沒 式技術則是將空氣 換成液體介質。實際上,由于液體介質的折射率相比空氣介質更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率,等效地加大了透鏡口徑尺寸與數值孔徑(NA),同時可以 ***提高焦深(DOF)和曝光工藝的寬容度(EL),浸沒式光 刻 技 術 正 是 利 用 這 個 原 理 來 提 高 其 分 辨率。南通銷售光刻系統推薦貨源但是同時引入了衍射效應,降低了分辨率。1970后適用,但是其最大分辨率為2~4μm。

得指出的是,EUV光刻技術的研發始于20世紀80年代。**早希望在半周期為70nm的節點(對應邏輯器件130nm節點)就能用上EUV光刻機 [1]??墒?,這一技術一直達不到晶圓廠量產光刻所需要的技術指標和產能要求。一拖再拖,直到2016年,EUV光刻機仍然沒能投入量產。晶圓廠不得不使用193nm浸沒式光刻機,依靠雙重光刻的辦法來實現32nm存儲器件、20nm和14nm邏輯器件的生產。不斷延誤,對EUV技術來說,有利也有弊。一方面,它可以獲得更多的時間來解決技術問題,提高性能參數;另一方面,下一個技術節點會對EUV提出更高的要求。
2019年荷蘭阿斯麥公司推出新一代極紫外光刻系統,**了當今**的第五代光刻系統,可望將摩爾定律物理極限推向新的高度 [5]。中國工程院《Engineering》期刊于2021年組建跨學科評選委員會,通過全球**提名、公眾問卷等多階段評審,選定近五年內完成且具有全球影響力的**工程成就。極紫外光刻系統憑借三大**指標入選:原創性突破:開發新型等離子體光源與反射式光學系統系統創新:整合超精密機械、真空環境控制與實時檢測技術產業效益:支撐全球90%以上**芯片制造需求 [1] [3-4] [7]。無掩模激光直寫系統利用激光直接在基材上成像,適用于柔性電子器件制造等領域 [5]。

介紹04:54新型DUV光刻機公布,套刻精度達8納米!與全球前列設備差多少?直接分步重復曝光系統 (DSW) 超大規模集成電路需要有高分辨率、高套刻精度和大直徑晶片加工。直接分步重復曝光系統是為適應這些相互制約的要求而發展起來的光學曝光系統。主要技術特點是:①采用像面分割原理,以覆蓋比較大芯片面積的單次曝光區作為**小成像單元,從而為獲得高分辨率的光學系統創造條件。②采用精密的定位控制技術和自動對準技術進行重復曝光,以組合方式實現大面積圖像傳遞,從而滿足晶片直徑不斷增大的實際要求。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。姑蘇區省電光刻系統工廠直銷
目的:使表面具有疏水性,增強基底表面與光刻膠的黏附性。南通銷售光刻系統按需定制
集成電路制造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數量級(從毫米級到亞微米級),已從常規光學技術發展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻技術是指在光照作用下,借助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區域的光刻膠發生化學反應;再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,后者稱負性光刻膠),使掩膜版上的圖形被復制到光刻膠薄膜上;***利用刻蝕技術將圖形轉移到基片上。南通銷售光刻系統按需定制
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