顯示面板制造（如OLED或LCD）涉及多層薄膜沉積，腔室污染會直接影響像素均勻性和亮度。RPS遠程等離子源通過非接觸式清洗，有效去除有機和無機殘留物，確保沉積工藝的重復性。其高均勻性特性特別適用于大尺寸基板處理，避免了邊緣與中心的清潔差異。同時，RPS遠程等離子源的低熱負荷設計防止了對溫度敏感材料的損傷。在柔性顯示領域，該技術還能用于表面活化，提升涂層附著力。通過整合RPS遠程等離子源，面板制造商能夠降低缺陷率，提高產品性能。在航空航天電子輻射加固工藝中提升器件可靠性。廣東國產RPS常用知識

在PERC、TOPCon等高效晶硅太陽能電池的制造工藝中，表面鈍化質量是決定電池轉換效率的主要 因素之一。RPS遠程等離子源應用領域深入到這一綠色能源產業的關鍵環節。在沉積氧化鋁（Al2O3）或氮化硅（SiNx）鈍化層之前，使用RPS對硅片表面進行精密清洗，可以去除原生氧化物和金屬污染物，為高質量鈍化界面的形成奠定基礎。更重要的是，RPS技術本身可以直接用于沉積高質量的氮化硅或氧化硅薄膜，其遠程等離子體特性使得薄膜內的離子轟擊損傷極小，氫含量和膜質得到精確控制，從而獲得極低的表面復合速率。此外，在HJT異質結電池中，RPS可用于對非晶硅層進行表面處理，優化其與TCO薄膜的接觸界面，降低接觸電阻，各方面 地提升光伏電池的開路電壓和填充因子，終實現轉換效率的躍升。湖北遠程等離子體源RPS石英舟處理為器官芯片制造提供細胞培養基底功能化。

高性能光學透鏡、激光器和光通信器件對薄膜（如增透膜、高反膜）的附著力和長期穩定性要求極為苛刻。任何微弱的表面污染或附著力不足都可能導致薄膜在溫度循環或高能激光照射下脫落。RPS遠程等離子源應用領域在此發揮著關鍵的預處理作用。通過使用氧或氬的遠程等離子體產生的自由基，能夠在不引入物理損傷的前提下，徹底清潔光學元件表面，并使其表面能比較大化。這個過程能有效打破材料表面的化學鍵，形成高密度的懸空鍵和活性位點，使得后續沉積的薄膜能夠形成牢固的化學鍵合，而非較弱的物理吸附。這不僅明顯 提升了薄膜的附著力，還減少了界面缺陷，從而改善了光學薄膜的激光損傷閾值（LIDT）和環境耐久性，是制造高級 光學元件的必要工序。

在材料科學的基礎研究和新材料開發中，獲得一個清潔、無污染的原始表面對于準確分析其本征物理化學性質至關重要。無論是進行XPS、AFM還是SIMS等表面分析技術，微量的表面吸附物都會嚴重干擾測試結果。RPS遠程等離子源應用領域為此提供的解決方案。其能夠在高真空或超高真空環境下，通過產生純凈的氫或氬自由基，對樣品表面進行原位（in-situ）清洗。氫自由基能高效還原并去除金屬表面的氧化物，而氬自由基能物理性地濺射掉表層的污染物，整個過程幾乎不引入新的污染或造成晶格損傷。這為研究人員揭示材料的真實表面態、界面電子結構以及催化活性位點等本征特性提供了可能，是連接材料制備與性能表征的關鍵橋梁。遠程等離子的處理作用，是非常輕微的刻蝕，有一定的活性作用，主要與腔室內部的殘余氣體發生作用。

對于GaN、SiC等化合物半導體和MEMS傳感器等精密器件，傳統的等離子體工藝因其高能離子轟擊和熱效應容易造成器件性能的不可逆損傷。RPS遠程等離子源應用領域在此提供了低損傷、高精度的解決方案。在GaN HEMT器件的制造中，RPS可用于柵極凹槽的刻蝕預處理或刻蝕后殘留物的清理 ，其低離子能量特性確保了AlGaN勢壘層和二維電子氣（2DEG）不受損傷，從而維持了器件的高跨導和頻率特性。在MEMS制造中，關鍵的步驟是層的釋放，以形成可活動的微結構。RPS遠程等離子源能夠使用氟基或氧基自由基，溫和且均勻地刻蝕掉結構下方的氧化硅或聚合物層，避免了因“粘附效應”（Stiction）導致的結構坍塌，極大地提升了MEMS陀螺儀、加速度計和麥克風的良品率和可靠性。RPS遠程等離子源原理。廣東國產RPS常用知識

適用于特種材料科研開發的超真空表面處理。廣東國產RPS常用知識

晟鼎遠程等離子體電源RPS的應用類型：1.CVD腔室清潔①清潔HDP-CVD腔（使用F原子）②清潔PECVD腔（使用F原子）③清潔Low-kCVD腔（使用O原子、F原子）④清潔WCVD腔（使用F原子）2.表面處理、反應性刻蝕和等離子體輔助沉積①通過反應替代 （biao面氧化）進行表面改性②輔助PECVD③使用預活化氧氣和氮氣輔助低壓反應性濺射沉積④使用預活化氧氣和氮氣進行反應性蒸發沉積⑤等離子體增強原子層沉積（PEALD）3.刻蝕：①灰化（除去表面上的碳類化合物）；②使用反應性含氧氣體粒子處理光刻膠。廣東國產RPS常用知識