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針對半導(dǎo)體載板制造中的溫控需求，國瑞熱控**加熱盤以高穩(wěn)定性適配載板鉆孔、電鍍等工藝。采用不銹鋼基材經(jīng)硬化處理，表面硬度達(dá) HRC50 以上，耐受載板加工過程中的機(jī)械沖擊無變形。加熱元件采用蛇形分布設(shè)計(jì)，加熱面溫度均勻性達(dá) ±1℃，溫度調(diào)節(jié)范圍 40℃-180...

國瑞熱控針對離子注入后雜質(zhì)***工藝，開發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá) 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá) 60℃/ 秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達(dá) 40℃/ 秒，減少熱預(yù)算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔...

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導(dǎo)體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質(zhì)，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于 0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求。加熱元件采用片狀分布設(shè)計(jì)，熱響應(yīng)速度快，可在 5 分鐘內(nèi)將測試溫度穩(wěn)定在 - 40℃至 150℃之間，滿...

電控晶圓加熱盤：半導(dǎo)體工藝的準(zhǔn)確溫控重點(diǎn)。無錫國瑞熱控的電控晶圓加熱盤，以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解釋半導(dǎo)體制造的溫控難題。其底盤內(nèi)置螺旋狀發(fā)熱電纜與均溫膜，通過熱量傳導(dǎo)路徑優(yōu)化，使加熱面均溫性達(dá)到行業(yè)高標(biāo)準(zhǔn)，確保晶圓表面溫度分布均勻，為光刻膠涂布等關(guān)鍵工藝提供穩(wěn)定環(huán)境。...

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致...

針對車載半導(dǎo)體高可靠性需求，國瑞熱控測試加熱盤適配 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)。采用**級鋁合金基材，通過 - 55℃至 150℃高低溫循環(huán)測試 5000 次無變形，加熱面平整度誤差小于 0.03mm。溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋 - 40℃至 200℃，升降溫速率達(dá) 30℃...

國瑞熱控封裝測試**加熱盤聚焦半導(dǎo)體后道工藝需求，采用輕量化鋁合金材質(zhì)，通過精密加工確保加熱面平整度誤差小于 0.05mm，適配不同尺寸封裝器件的測試需求。加熱元件采用片狀分布設(shè)計(jì)，熱響應(yīng)速度快，可在 5 分鐘內(nèi)將測試溫度穩(wěn)定在 - 40℃至 150℃之間，滿...

國瑞熱控推出半導(dǎo)體加熱盤專項(xiàng)維修服務(wù)，針對加熱元件老化、溫度均勻性下降等常見問題提供系統(tǒng)解決方案。服務(wù)流程涵蓋外觀檢測、絕緣性能測試、溫度場掃描等 12 項(xiàng)檢測項(xiàng)目，精細(xì)定位故障點(diǎn)。采用原廠匹配的氮化鋁陶瓷基材與加熱元件，維修后的加熱盤溫度均勻性恢復(fù)至 ±1℃...

電控晶圓加熱盤：半導(dǎo)體工藝的準(zhǔn)確溫控重點(diǎn)。無錫國瑞熱控的電控晶圓加熱盤，以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解釋半導(dǎo)體制造的溫控難題。其底盤內(nèi)置螺旋狀發(fā)熱電纜與均溫膜，通過熱量傳導(dǎo)路徑優(yōu)化，使加熱面均溫性達(dá)到行業(yè)高標(biāo)準(zhǔn)，確保晶圓表面溫度分布均勻，為光刻膠涂布等關(guān)鍵工藝提供穩(wěn)定環(huán)境。...

國瑞熱控氮化鋁陶瓷加熱盤以 99.5% 高純氮化鋁為基材，通過干壓成型與 1800℃高溫?zé)Y(jié)工藝制成，完美適配半導(dǎo)體高溫工藝需求。其熱導(dǎo)率可達(dá) 220W/mK，熱膨脹系數(shù)* 4.03×10??/℃，與硅晶圓熱特性高度匹配，有效避免高溫下因熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓翹曲。...

面向深紫外光刻工藝對晶圓預(yù)處理的需求，國瑞熱控配套加熱盤以微米級溫控助力圖形精度提升。采用鋁合金基體與石英玻璃復(fù)合結(jié)構(gòu)，加熱面平面度誤差小于 0.01mm，確保晶圓與光刻掩膜緊密貼合。通過紅外加熱與接觸式導(dǎo)熱協(xié)同技術(shù)，升溫速率達(dá) 15℃/ 分鐘，溫度調(diào)節(jié)范圍 ...

針對化學(xué)氣相沉積工藝的復(fù)雜反應(yīng)環(huán)境，國瑞熱控 CVD 電控加熱盤以多維技術(shù)創(chuàng)新**溫控難題。加熱盤內(nèi)置多區(qū)域**溫控模塊，可根據(jù)反應(yīng)腔不同區(qū)域需求實(shí)現(xiàn)差異化控溫，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，滿足各類 CVD 反應(yīng)的溫度窗口要求。采用特種絕緣材料與密封結(jié)構(gòu)...

國瑞熱控針對離子注入后雜質(zhì)***工藝，開發(fā)**加熱盤適配快速熱退火需求。采用氮化鋁陶瓷基材，熱導(dǎo)率達(dá) 200W/mK，熱慣性小，升溫速率達(dá) 60℃/ 秒，可在幾秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃，且降溫速率達(dá) 40℃/ 秒，減少熱預(yù)算對晶圓的影響。加熱面采用激光打孔...

針對半導(dǎo)體制造中的高真空工藝需求，國瑞熱控開發(fā)**真空密封組件，確保加熱盤在真空環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。組件采用氟橡膠與金屬骨架復(fù)合結(jié)構(gòu)，耐溫范圍覆蓋 - 50℃至 200℃，可長期在 10??Pa 真空環(huán)境下使用無泄漏。密封件與加熱盤接口精細(xì)匹配，通過多道密封設(shè)計(jì)提...

針對半導(dǎo)體晶圓研磨后的應(yīng)力釋放需求，國瑞熱控**加熱盤以溫和溫控助力晶圓性能穩(wěn)定。采用鋁合金基體與柔性導(dǎo)熱墊層復(fù)合結(jié)構(gòu)，導(dǎo)熱墊層硬度 Shore A 30，可貼合研磨后晶圓表面微小凹凸，確保熱量均勻傳遞。溫度調(diào)節(jié)范圍 30℃-150℃，控溫精度 ±0.8℃，支...

國瑞熱控半導(dǎo)體加熱盤**散熱系統(tǒng)，為設(shè)備快速降溫與溫度穩(wěn)定提供有力支持。系統(tǒng)采用水冷與風(fēng)冷復(fù)合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉(zhuǎn)速散熱風(fēng)扇，可在 10 分鐘內(nèi)將加熱盤溫度從 500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時間。散熱系統(tǒng)配備智能溫控閥，根據(jù)加熱盤...

國瑞熱控深耕半導(dǎo)體加熱盤國產(chǎn)化研發(fā)，針對進(jìn)口設(shè)備的技術(shù)壁壘與供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，推出全套替代方案。方案涵蓋6英寸至12英寸不同規(guī)格加熱盤，材質(zhì)包括鋁合金、氮化鋁陶瓷等，可直接替換Kyocera、CoorsTek等國際品牌同型號產(chǎn)品，且在溫度均勻性、控溫精度等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)...

國瑞熱控深耕半導(dǎo)體加熱盤國產(chǎn)化研發(fā)，針對進(jìn)口設(shè)備的技術(shù)壁壘與供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，推出全套替代方案。方案涵蓋6英寸至12英寸不同規(guī)格加熱盤，材質(zhì)包括鋁合金、氮化鋁陶瓷等，可直接替換Kyocera、CoorsTek等國際品牌同型號產(chǎn)品，且在溫度均勻性、控溫精度等關(guān)鍵指標(biāo)上達(dá)...

針對半導(dǎo)體退火工藝中對溫度穩(wěn)定性的高要求，國瑞熱控退火**加熱盤采用紅外加熱與電阻加熱協(xié)同技術(shù)，實(shí)現(xiàn)均勻且快速的溫度傳遞。加熱盤主體選用低熱慣性的氮化硅陶瓷材質(zhì)，熱導(dǎo)率達(dá) 30W/mK，可在 30 秒內(nèi)將晶圓溫度提升至 900℃，且降溫過程平穩(wěn)可控，避免因溫度...

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應(yīng)特性適配 RTP 工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復(fù)合技術(shù)，升溫速率突破 50℃/ 秒，可在數(shù)秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃以上。加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質(zhì)，搭配多組**溫控模塊，通過 PID 閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)溫度快速調(diào)節(jié)...

面向柔性半導(dǎo)體基板（如聚酰亞胺基板）加工需求，國瑞熱控**加熱盤以柔性貼合設(shè)計(jì)適配彎曲基板。采用薄型不銹鋼加熱片（厚度 0.2mm）與硅膠導(dǎo)熱層復(fù)合結(jié)構(gòu)，可隨柔性基板彎曲（彎曲半徑**小 5mm）而無結(jié)構(gòu)損壞，加熱面溫度均勻性達(dá) ±1.5℃，溫度調(diào)節(jié)范圍 50...

國瑞熱控 12 英寸半導(dǎo)體加熱盤專為先進(jìn)制程量產(chǎn)需求設(shè)計(jì)，采用氮化鋁陶瓷與高純銅復(fù)合基材，通過多道精密研磨工藝，使加熱面平面度誤差控制在 0.015mm 以內(nèi)，完美貼合大尺寸晶圓的均勻受熱需求。內(nèi)部采用分區(qū)式加熱元件布局，劃分 8 個**溫控區(qū)域，配合高精度鉑...

針對 12 英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效溫控。產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá) 1500cm2，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求。每個模塊配備**溫控單元，通過...

國瑞熱控半導(dǎo)體加熱盤**散熱系統(tǒng)，為設(shè)備快速降溫與溫度穩(wěn)定提供有力支持。系統(tǒng)采用水冷與風(fēng)冷復(fù)合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉(zhuǎn)速散熱風(fēng)扇，可在 10 分鐘內(nèi)將加熱盤溫度從 500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時間。散熱系統(tǒng)配備智能溫控閥，根據(jù)加熱盤...