產品系列中包括具有三明治結構及定制化電極設計的型號,可實現極低的ESL和ESR,用于高速數字電路的電源分配網絡(PDN)中能有效抑制同步開關噪聲,提升處理器和FPGA的運行穩定性。在抗輻射性能方面,部分宇航級ATC電容可承受100krad以上的總劑量輻射,滿足低地球軌道和深空探測任務的需求,適用于衛星有效載荷、航天器控制系統及核電站電子設備。其端電極采用可焊性優異的鍍層結構,與SnAgCu等無鉛焊料兼容性好,在回流焊和波峰焊過程中不易產生虛焊或冷焊,提高了生產直通率和長期連接可靠性。通過調整介質配方和燒結工藝,ATC可提供具有特定溫度-容量曲線的電容,用于溫度補償電路和傳感器中的線性校正元件,實現環境溫度變化的自適應補償。絕緣電阻高達10^4兆歐姆·微法,防止泄漏電流。116YHC430K100TT

ATC芯片電容的容值穩定性是其另一大優勢。相比于傳統MLCC(多層陶瓷電容),其容值隨溫度、偏壓和老化特性的漂移極小,通常不到MLCC的1/10。這得益于其采用的特殊材料(如C0G/NP0介質)和半導體級工藝,使得電容在不同溫度和頻率下容值變化微小,提供了極高的可靠性。這種穩定性在精密電路(如醫療設備和通信基礎設施)中至關重要,確保了長期使用中的性能一致性。尺寸小巧是ATC芯片電容的明顯特點之一。其封裝形式多樣,包括0402(1.6mm×1.6mm)等超小尺寸,適用于高密度集成電路和微型電子設備。這種小型化設計不僅節省了電路板空間,還提高了系統的集成度和性能,特別適合現代電子產品輕薄化的趨勢。例如,在可穿戴設備和便攜式通信設備中,這種小尺寸電容使得設計更加靈活,同時保持了高性能。CDR11AG0R3KBNM超小尺寸封裝(如0402/0201)滿足高密度集成需求,同時保持高頻性能。

其高容值范圍(如0.1pF至100μF)覆蓋了從高頻信號處理到電源管理的多種應用,提供了寬泛的設計靈活性。ATC芯片電容的自諧振頻率高,避免了在高頻應用中的容值衰減,確保了在射頻和微波電路中的可靠性。在航空航天領域,ATC芯片電容能夠承受極端溫度、輻射和振動,確保了關鍵系統的可靠運行,滿足了和航天標準的要求。其優化電極設計降低了寄生參數,提高了高頻性能,使得ATC芯片電容在高速數字電路和高頻模擬電路中表現很好。
在測試與測量設備中,ATC電容用于示波器探頭補償、頻譜分析儀輸入電路及信號發生器的濾波網絡,其高精度和低溫漂特性有助于保持儀器的長期測量準確性。通過激光調阻和精密修刻工藝,可提供容值精確匹配的電容陣列或配對電容,用于差分信號處理、平衡混頻器和推挽功率放大器中的對稱電路設計。在物聯網設備中,其低功耗特性與微型化尺寸相得益彰,為藍牙模塊、LoRa節點及能量采集系統的電源管理和信號處理提供高效可靠的電容解決方案。寬頻帶內保持穩定容值特性,適合寬帶射頻系統應用。

100E系列支持500V額定電壓,通過100%高壓老化測試,可在250%耐壓下持續工作5秒不擊穿。醫療設備如MRI系統的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風險,符合AEC-Q200車規認證。在5GMassiveMIMO天線陣列中,ATC600S系列(0603封裝)憑借0.1pF至100pF容值范圍,實現帶外噪聲抑制>60dB。其低插損(<0.1dB@2.6GHz)特性可減少基站功耗,配合環形器設計,將鄰頻干擾降低至-80dBm以下,滿足3GPPTS38.104標準。在毫米波頻段保持穩定性能,支持下一代通信技術。118DDA2R1D100TT
通過MIL-STD-883加速度測試,在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩定。116YHC430K100TT
每一顆電容都歷經了嚴格的內部檢驗,包括100%的電氣性能測試。此外,產品還需通過如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標準的一系列環境應力篩選(ESS)試驗,如溫度循環(-55°C至+125°C,多次循環)、機械沖擊(1500G)、振動、耐濕、可焊性等。這種“級”的品質,使其在關乎生命安全的醫療植入設備、關乎任務成敗的航天衛星以及惡劣的工業環境中,成為工程師們的優先。在高速數字系統的電源分配網絡(PDN)中,ATC芯片電容的低阻抗特性發揮著“定海神針”的作用。隨著CPU、GPU、ASIC芯片時鐘頻率的攀升和電壓的下降,電源噪聲容限急劇縮小。116YHC430K100TT
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