至少有一個阿基米德制造的儀器相當類似安提基特拉機械,而且直到大約西元前150年仍在使用。西塞羅提到的任何一個儀器或許并不是在沉船中找到的安提基特拉機械,因為阿基米德的設計和西塞羅所提的都是在預測的船沉日期之后至少30年的羅馬,而且第三個儀器幾乎確定在當時是在波...
所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展,這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時,半導體基片上如果有絕緣的介質膜,電子通過它時也會產生一定量的電荷積累,這些積累的電荷同樣會排斥后續曝光的電子,產生偏移,而不導電的絕緣體(如玻璃片)肯定不能采用電子束曝光。還有...
極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻(英語:Extrem...
廣角鏡頭是一種焦距短于標準鏡頭、視角大于標準鏡頭、焦距長于魚眼鏡頭、視角小于魚眼鏡頭的攝影鏡頭。廣角鏡頭又分為普通廣角鏡頭和超廣角鏡頭兩種。普通廣角鏡頭的焦距一般為38-24毫米,視角為60-84度;超廣角鏡頭的焦距為20-13毫米,視角為94-118度。由于...
光刻系統是一種用于半導體器件制造的精密科學儀器,是制備高性能光電子和微電子器件不可或缺的**工藝設備 [1] [6-7]。其技術發展歷經紫外(UV)、深紫外(DUV)到極紫外(EUV)階段,推動集成電路制程不斷進步 [3] [6]。當前**的EUV光刻系統已實...
在拍攝廣闊的大場面時,攝影者一般都依靠廣角鏡頭焦距短,表現的景物景深長的特點,將從近到遠的整個景物都納入清晰表現的范圍。此外,用廣角鏡頭拍攝時,如果同時采用較小的光圈,則景物的景深就會變得更長。例如,攝影者用一個28毫米的廣角鏡頭拍攝,焦點對在約3米左右的被攝...
兩種工藝常規光刻技術是采用波長為2000~4500埃的紫外光作為圖像信息載體,以光致抗蝕劑為中間(圖像記錄)媒介實現圖形的變換、轉移和處理,**終把圖像信息傳遞到晶片(主要指硅片)或介質層上的一種工藝。在廣義上,它包括光復印和刻蝕工藝兩個主要方面。①光復印工藝...
1902年5月17日,考古學家維拉理奧斯·史大理斯檢查發現的沉船中物品時發現一個齒輪嵌在一塊巖石中。 [1]史大理斯一開始認為這是天文鐘,但多數學者認為這是時代錯誤,這物品和同時期發現的其他東西相較之下太過復雜。對該物品調查的熱潮很快下降,直到1951年英國物...
現代學者的共識是該機械是在希臘語使用區域制造,所有機械上組件的文字都是通用希臘語。一種假說認為,該機械是在希臘當時的天文和機械工程中心羅德島上的斯多亞學派學者波希多尼制造,而天文學家喜帕恰斯參與了設計,因為該機械采用了喜帕恰斯的月球運動理論。但由安提基特拉機械...
目前,安提基特拉機械已被基本復原。 [5]以下是托尼·弗里思研究團隊的***復原成果。安提基特拉裝置的制作者無論使用什么周期數據,都需要遵循三個標準:精確性、可分解性與經濟性。簡省且高效,是安提基特拉裝置齒輪傳動系統的一個關鍵特征。新的行星周期數據可以納入齒輪...
制造掩模版,比較靈活。但由于其曝光效率低,主要用于實驗室小樣品納米制造。而電子束曝光要適應大批量生產,如何進一步提高曝光速度是個難題。為了解決電子束光刻的效率問題,通常將其與其他光刻技術配合使用。例如為解決曝光效率問題,通常采用電子束光刻與光學光刻進行匹配與混...
普萊斯在以上文章中發表的模式是較早基于放射影像所見該機械內部結構之后,提出的較早理論重建模式。他的模式中,機械前方的轉盤**太陽和月球在古埃及歷法上黃道帶的位置。在儀器后面的上方轉盤則顯示一個四年周期,并且和顯示周期為235個朔望月的默冬章相關,這和19個回歸...
此前人們認為該裝置是古希臘人使用的一種計算器,用來描繪天空中行星的運行軌跡,以幫助當時的人識別方向。然而,科學家們現在**了這部裝置表面破損的銘文后發現,它實際上是用來研究**的。安提基特拉機械裝置是其同時代的一個孤例。它憑一己之力改寫了我們對古希臘技術的認知...
1:可用機電式驅動器或液壓缸作為驅動動力。2:快速、精確地對卷材進行定位,使用的卷材寬度可達1930mm(76.0″)。3:低摩擦滾珠軸套和轉動桿的設計。4:耐用的結構設計可長時間連續使用,**降低維修的需要。5:可選配的伺服對中器提高設置和卷材線性速度。6:...
e、光刻膠厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻膠厚度測量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻膠缺陷監控。舉例:0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm...
商用或家用數碼相機的鏡頭,部分廠家采用了相對比較好的鏡頭。富士相機采用了170線/毫米解析度的專業富士龍鏡頭,這種內置的新型富士龍鏡頭比大多數SLR鏡頭更清晰。不僅在精度上保證了圖象拍攝的品質,而且其鏡頭錯誤率也達到令人驚異的0.3%, 較一般的數碼相機低2/...
光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。硅片清洗烘干方...
半導體器件和集成電路對光刻曝光技術提出了越來越高的要求,在單位面積上要求完善傳遞圖像的信息量已接近常規光學的極限。光刻曝光的常用波長是3650~4358 埃,預計實用分辨率約為1微米。幾何光學的原理,允許將波長向下延伸至約2000埃的遠紫外波長,此時可達到的實...
●加工自動化可搭配任何的自動送料機構,進行自動化生產、降低成本,提高效率。●環保、節能且外形美觀,低噪音、低消耗、節省能源,流暢簡潔的外觀更能體現出先進的設計理念。1.上模上模是整副沖模的上半部,即安裝于壓力機滑塊上的沖模部分。2、上模座上模座是上模**上面的...
極紫外光刻(Extreme Ultra-violet),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。極紫外光刻(英語:Extrem...
能強調前景和突出遠近對比。這是廣角鏡頭的另一個重要性能。所謂強調前景和突出遠近對比,是指廣角鏡頭能比其他鏡頭更加強調近大遠小的對比度。也就是說,用廣角鏡頭拍出來的照片,近的東西更大,遠的東西更小,從而讓人感到拉開了距離,在縱深方向上產生強烈的******效果。...
世界上***部糾偏裝置,英文:Deviation rectifying device,是美塞斯的FIFE糾發明的,是糾偏裝置是電子糾偏系統的心臟。糾偏裝置是一種修正卷材在向前運動中出現的側邊誤差的機械裝置,位移式糾偏是通過更改卷材在進口和出口跨度來實現卷材側邊...
英特爾高級研究員兼技術和制造部先進光刻技術總監YanBorodovsky在去年說過“針對未來的IC設計,我認為正確的方向是具有互補性的光刻技術。193納米光刻是當前能力**強且**成熟的技術,能夠滿足精確度和成本要求,但缺點是分辨率低。利用一種新技術作為193...
光刻技術是現代集成電路設計上一個比較大的瓶頸。現cpu使用的45nm、32nm工藝都是由193nm液浸式光刻系統來實現的,但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的,但是如采用EUV光刻技術就會很好的解決此問題,很可能會使該領域帶來一次飛躍。但是涉...
對于新影像的進一步研究促使萊特提出新看法。首先他將普萊斯的模式進一步發展,認為該儀器相當于一個天象儀。萊特的天象儀不只可模擬日月運動,還可顯示內側行星(水星和金星)和外側行星(火星、木星和土星)的運動。萊特提出該機械的日月運動是基于喜帕恰斯的理論,五顆古典行星...
廣角鏡頭又分為普通廣角鏡頭和超廣角鏡頭兩種。135照相機普通廣角鏡頭的焦距一般為38-24毫米,視角為60-84度;超廣角鏡頭的焦距為20-13毫米,視角為94-118度。由于廣角鏡頭的焦距短,視角大,在較短的拍攝距離范圍內,能拍攝到較大面積的景物。所以,**...
善的評價莫過于MTF (Modulation Transfer Function)。但是由于像差(標定的原因),鏡頭的每個范圍都有一個MTF值。這些范圍指的是:(1)近軸部分,(2)離軸部分,(3)當光學系統存在不對稱畸變時,上述兩部分在不同方向上的子部分。每...
能強調前景和突出遠近對比。這是廣角鏡頭的另一個重要性能。所謂強調前景和突出遠近對比,是指廣角鏡頭能比其他鏡頭更加強調近大遠小的對比度。也就是說,用廣角鏡頭拍出來的照片,近的東西更大,遠的東西更小,從而讓人感到拉開了距離,在縱深方向上產生強烈的******效果。...
廣角鏡頭***用于大場面風景攝影作品的拍攝。 能增加攝影畫面的空間縱深感; 景深較長,能保證被攝主體的前后景物在畫面上均可清晰的再現。所以,現代絕大多數的袖珍式自動照相機(俗稱傻瓜照相機)采用38-35毫米的普通廣角鏡頭; 鏡頭的涵蓋面積大,拍攝的景物范圍寬廣...
準分子光刻技術作為當前主流的光刻技術,主要包括:特征尺寸為0.1μm的248 nm KrF準分子激光技術;特征尺寸為90 nm的193 nm ArF準分子激光技術;特征尺寸為65 nm的193 nm ArF浸沒式技術(Immersion,193i)。其中193...