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醫(yī)療設(shè)備與實(shí)驗(yàn)室儀器的高精度加熱需求，國瑞熱控復(fù)合均溫加熱板完美匹配。產(chǎn)品采用石墨烯復(fù)合發(fā)熱材料，熱效率高達(dá) 98%，溫度均勻性 ±1℃，在 DNA 擴(kuò)增儀、質(zhì)譜儀等設(shè)備中，保障實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性與重復(fù)性。其超薄設(shè)計(jì)（厚度≤3mm）可嵌入式安裝，不影響設(shè)備整體結(jié)...

國瑞熱控陶瓷加熱板采用先進(jìn)的陶瓷發(fā)熱技術(shù)，以氮化鋁陶瓷為基體，具備超高導(dǎo)熱系數(shù)（170W/m?K）與耐高溫性能，最高使用溫度可達(dá) 1000℃，是高溫精密工藝的理想加熱部件。其工作原理是通過厚膜電路印刷技術(shù)在陶瓷表面形成發(fā)熱層，通電后發(fā)熱層均勻發(fā)熱，熱量通過陶瓷...

為降低半導(dǎo)體加熱盤的熱量損耗，國瑞熱控研發(fā)**隔熱組件，通過多層復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效保溫。組件內(nèi)層采用耐高溫隔熱棉，熱導(dǎo)率* 0.03W/(m?K)，可有效阻隔加熱盤向設(shè)備腔體的熱量傳遞；外層選用金屬防護(hù)殼，兼具結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與抗腐蝕性能，適配半導(dǎo)體潔凈車間環(huán)境。隔...

面向深紫外光刻工藝對(duì)晶圓預(yù)處理的需求，國瑞熱控配套加熱盤以微米級(jí)溫控助力圖形精度提升。采用鋁合金基體與石英玻璃復(fù)合結(jié)構(gòu)，加熱面平面度誤差小于 0.01mm，確保晶圓與光刻掩膜緊密貼合。通過紅外加熱與接觸式導(dǎo)熱協(xié)同技術(shù)，升溫速率達(dá) 15℃/ 分鐘，溫度調(diào)節(jié)范圍 ...

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊，...

針對(duì)半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長期浸泡無腐蝕。加熱盤內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠。通過底部加熱...

國瑞熱控快速退火**加熱盤以高頻響應(yīng)特性適配 RTP 工藝需求，采用紅外輻射與電阻加熱復(fù)合技術(shù)，升溫速率突破 50℃/ 秒，可在數(shù)秒內(nèi)將晶圓加熱至 1000℃以上。加熱盤選用低熱慣性的氮化鋁陶瓷材質(zhì)，搭配多組**溫控模塊，通過 PID 閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)溫度快速調(diào)節(jié)...

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊，...

國瑞熱控針對(duì)硒化銦等二維半導(dǎo)體材料制備需求，開發(fā)**加熱盤適配 “固 - 液 - 固” 相變生長工藝。采用高純不銹鋼基體加工密封腔體，內(nèi)置銦原子蒸發(fā)溫控模塊，可精細(xì)控制銦蒸汽分壓，確保硒與銦原子比穩(wěn)定在 1:1。加熱面溫度均勻性控制在 ±0.5℃，升溫速率可低...

針對(duì)化學(xué)氣相沉積工藝的復(fù)雜反應(yīng)環(huán)境，國瑞熱控 CVD 電控加熱盤以多維技術(shù)創(chuàng)新**溫控難題。加熱盤內(nèi)置多區(qū)域**溫控模塊，可根據(jù)反應(yīng)腔不同區(qū)域需求實(shí)現(xiàn)差異化控溫，溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，滿足各類 CVD 反應(yīng)的溫度窗口要求。采用特種絕緣材料與密封結(jié)構(gòu)...

國瑞熱控依托 10 余年半導(dǎo)體加熱盤研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，提供全流程定制化研發(fā)服務(wù)，滿足客戶特殊工藝需求。服務(wù)流程涵蓋需求分析、方案設(shè)計(jì)、原型制作、性能測(cè)試、批量生產(chǎn)五大環(huán)節(jié)，可根據(jù)客戶提供的工藝參數(shù)（溫度范圍、控溫精度、尺寸規(guī)格、環(huán)境要求等），定制特殊材質(zhì)（如高純石墨、...

無錫國瑞熱控 PVD 工藝**加熱盤，專為物***相沉積環(huán)節(jié)的嚴(yán)苛溫控需求設(shè)計(jì)。作為晶圓加工的**載體與射頻回路下電極，其采用陶瓷與高純金屬復(fù)合基材，經(jīng)精密研磨確保加熱面平面度誤差小于 0.02mm，為薄膜均勻生長提供穩(wěn)定基底。內(nèi)部螺旋狀加熱元件與均溫層協(xié)同作...

國瑞熱控光刻膠烘烤加熱盤以微米級(jí)溫控精度支撐光刻工藝，采用鋁合金基體與陶瓷覆層復(fù)合結(jié)構(gòu)，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，減少光刻膠涂布缺陷。加熱面劃分 6 個(gè)**溫控區(qū)域，通過仿真優(yōu)化的加熱元件布局，使溫度均勻性達(dá) ±0.5℃，避免烘烤過程中因溫度差異導(dǎo)致...

國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加...

針對(duì) 12 英寸及以上大尺寸晶圓的制造需求，國瑞熱控大尺寸半導(dǎo)體加熱盤以創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效溫控。產(chǎn)品采用多模塊拼接式結(jié)構(gòu)，單模塊加熱面積可達(dá) 1500cm2，通過標(biāo)準(zhǔn)化接口可靈活組合成更大尺寸加熱系統(tǒng)，適配不同產(chǎn)能的生產(chǎn)線需求。每個(gè)模塊配備**溫控單元，通過...

國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加...

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊，...

國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加...

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計(jì)，測(cè)溫精度達(dá) ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤的校準(zhǔn)需求。配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實(shí)時(shí)顯示溫度...

針對(duì)晶圓清洗后的烘干環(huán)節(jié)，國瑞熱控**加熱盤以潔凈高效的特性適配嚴(yán)苛需求。產(chǎn)品采用高純不銹鋼基材，表面經(jīng)電解拋光與鈍化處理，粗糙度 Ra 小于 0.2μm，減少水分子附著與雜質(zhì)殘留。加熱面采用蜂窩狀導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，使熱量均勻分布，晶圓表面溫度差控制在 ±2℃以內(nèi)，避...

為解決加熱盤長期使用后的溫度漂移問題，國瑞熱控開發(fā)**校準(zhǔn)模塊，成為半導(dǎo)體生產(chǎn)線的精度保障利器。模塊采用鉑電阻與熱電偶雙傳感設(shè)計(jì)，測(cè)溫精度達(dá) ±0.05℃，可覆蓋室溫至 800℃全溫度范圍，適配不同材質(zhì)加熱盤的校準(zhǔn)需求。配備便攜式數(shù)據(jù)采集終端，支持實(shí)時(shí)顯示溫度...

為降低半導(dǎo)體加熱盤的熱量損耗，國瑞熱控研發(fā)**隔熱組件，通過多層復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效保溫。組件內(nèi)層采用耐高溫隔熱棉，熱導(dǎo)率* 0.03W/(m?K)，可有效阻隔加熱盤向設(shè)備腔體的熱量傳遞；外層選用金屬防護(hù)殼，兼具結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與抗腐蝕性能，適配半導(dǎo)體潔凈車間環(huán)境。隔...

國瑞熱控半導(dǎo)體加熱盤**散熱系統(tǒng)，為設(shè)備快速降溫與溫度穩(wěn)定提供有力支持。系統(tǒng)采用水冷與風(fēng)冷復(fù)合散熱方式，水冷通道圍繞加熱盤均勻分布，配合高轉(zhuǎn)速散熱風(fēng)扇，可在 10 分鐘內(nèi)將加熱盤溫度從 500℃降至室溫，大幅縮短工藝間隔時(shí)間。散熱系統(tǒng)配備智能溫控閥，根據(jù)加熱盤...

為降低半導(dǎo)體加熱盤的熱量損耗，國瑞熱控研發(fā)**隔熱組件，通過多層復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)高效保溫。組件內(nèi)層采用耐高溫隔熱棉，熱導(dǎo)率* 0.03W/(m?K)，可有效阻隔加熱盤向設(shè)備腔體的熱量傳遞；外層選用金屬防護(hù)殼，兼具結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與抗腐蝕性能，適配半導(dǎo)體潔凈車間環(huán)境。隔...

針對(duì)半導(dǎo)體濕法工藝中溶液溫度控制需求，國瑞熱控濕法**加熱盤采用耐腐蝕不銹鋼材質(zhì)，經(jīng)電解拋光與鈍化處理，可耐受酸堿溶液長期浸泡無腐蝕。加熱盤內(nèi)置密封式加熱元件，與溶液完全隔離，避免漏電風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)具備 1500V/1min 的電氣強(qiáng)度，使用安全可靠。通過底部加熱...

國瑞熱控針對(duì)氮化鎵外延生長工藝，開發(fā)**加熱盤適配 MOCVD 設(shè)備需求。采用高純石墨基材表面噴涂氮化鋁涂層，在 1200℃高溫下熱膨脹系數(shù)與藍(lán)寶石襯底匹配，避免襯底開裂風(fēng)險(xiǎn)，熱導(dǎo)率達(dá) 150W/mK，確保熱量均勻傳遞至襯底表面。內(nèi)部設(shè)計(jì) 8 組**加熱模塊，...

針對(duì)原子層沉積工藝對(duì)溫度的嚴(yán)苛要求，國瑞熱控 ALD **加熱盤采用多分區(qū)溫控設(shè)計(jì)，通過仿真優(yōu)化加熱絲布局，確保表面溫度分布均勻性符合精密制程標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)備溫度調(diào)節(jié)范圍覆蓋室溫至 600℃，升溫速率可達(dá) 25℃/ 分鐘，搭配鉑電阻傳感器實(shí)現(xiàn) ±0.1℃的控溫精度，...

國瑞熱控建立半導(dǎo)體加熱盤全生命周期服務(wù)體系，為客戶提供從選型咨詢到報(bào)廢回收的全流程支持。售前提供工藝適配咨詢，結(jié)合客戶制程需求推薦合適型號(hào)或定制方案；售中提供安裝調(diào)試指導(dǎo)，確保加熱盤與設(shè)備精細(xì)對(duì)接，且提供操作培訓(xùn)服務(wù)；售后提供7×24小時(shí)技術(shù)支持，設(shè)備故障響應(yīng)...

面向半導(dǎo)體新材料研發(fā)場景，國瑞熱控高溫加熱盤以寬溫域與高穩(wěn)定性成為科研工具。采用石墨與碳化硅復(fù)合基材，工作溫度范圍覆蓋 500℃-2000℃，可通過程序設(shè)定實(shí)現(xiàn)階梯式升溫，升溫速率調(diào)節(jié)范圍 0.1-10℃/ 分鐘。加熱面配備 24 組測(cè)溫點(diǎn)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度分布，...

國瑞熱控 8 英寸半導(dǎo)體加熱盤聚焦成熟制程需求，以高性價(jià)比與穩(wěn)定性能成為中低端芯片制造的推薦。采用鋁合金基體經(jīng)陽極氧化處理，表面平整度誤差小于 0.03mm，加熱面溫度均勻性控制在 ±2℃以內(nèi)，滿足 65nm 至 90nm 制程的溫度要求。內(nèi)部采用螺旋狀鎳鉻加...